ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TSM4ND60CI C0G
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Taiwan Semiconductor Corporation
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TSM4ND60CI C0G-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 4A ITO220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole ITO-220
ສິນຄ້າ:
12898999
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TSM4ND60CI C0G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Taiwan Semiconductor
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
582 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
41.6W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ITO-220
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TSM4ND60
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
1801-TSM4ND60CIC0G
TSM4ND60CI
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TSM2314CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
TSM2307CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
DMN6040SFDEQ-13
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
